据闪德资讯获悉，近日，铠侠公布超高性能SSD最新技术路线。原计划2027年达成的1亿次随机读IOPS目标推迟至2028年，产品将搭载PCIe 7.0接口与第三代XL-Flash闪存，作为HBM显存的补充，实现GPU高速直连交互。

第三代XL-Flash相较二代，读取性能提升3倍，写入性能提升150%，读写能效分别上涨40%、80%。通过闪存底层架构优化，增加晶粒平面、缩短线路，读取延迟压至5微秒以内，擦写寿命可达15-25万次循环。目前铠侠暂未披露该颗粒堆叠与封装细节。

现阶段过渡产品GP1 SSD采用PCIe 6.0与第二代XL-Flash，最高实现1030万IOPS，推出800GB SLC、1600GB MLC两个版本，SLC版本主打高稳定与长寿命。

此次时间延后，与PCIe7.0产业生态节奏匹配。AI推理场景下显存瓶颈凸显，超高IOPS存储可分担HBM压力，构建多层次内存体系。GP系列路线迭代，也反映AI算力竞争正从GPU、HBM，延伸至低延迟高速闪存赛道。

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