据闪德资讯获悉，有关机构研判，HBM产能挤占通用存储产能的排挤效应，将持续到2028年。HBM在整体DRAM投片占比将从2026年19%提升至2028年28%，通用DRAM供给被持续压缩，叠加NAND产能资源受牵制，2028年两大存储品类供需结构难以转向宽松。

测算显示2027年GPU与ASIC的HBM需求约1.96亿颗，若全部采用12层堆叠，供给仅1.52亿颗，缺口达4400万颗。8层方案可在同等晶圆产出更多HBM颗粒，后续供给宽松后仍有望切回12层；传闻的4层方案更偏向议价手段，难以量产，会大幅削弱产品定位。

投片数据显示，2026至2028年月度HBM投片量分别为41.4万、57.9万、74.5万片。即便新晶圆厂产能2028年落地，剔除HBM占用产能后，通用DRAM投片年增仅中个位数。

HBM价格持续上行，HBM3e、HBM4在2026至2027年价格近乎翻倍，HBM4e相较HBM4还有约20%溢价。

受DRAM晶圆产值更高影响，韩系厂商会优先倾斜产能，NAND扩产空间受限。行业风险点在于GPU出货不及预期；若智能体AI爆发拉动DDR5需求，厂商产能重新分配，将进一步加剧DDR5与HBM之间的晶圆争夺。

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