据闪德资讯获悉，海外及韩国媒体最新消息，美光计划于今年年底落地一轮大规模设备投资，重点拉升12层HBM4产品产能，以此缩小和三星、SK海力士之间的高带宽内存产能鸿沟，抢夺更多HBM市场份额。

《ETNews》报道显示，本次扩产目标力度空前，美光力争在年底实现HBM晶圆月产能最高新增6万片。对比去年每月4‑5万片的产出水平，届时整体月产能有望突破10万片，产能规模实现翻倍以上增长。

扩产背后得益于HBM4良率爬坡进度超预期，其放量速度达到HBM3的两倍，侧面印证AI算力市场旺盛的内存需求。

技术路线上，美光规划2027年推出新一代HBM4E产品，首批样品将基于1‑gamma 制程DRAM模组进行开发。

眼下全球三大存储厂商的HBM军备竞赛持续升温，但美光追赶之路依旧艰巨。行业估算，三星、SK海力士当前HBM月产能各自维持在15‑20万片，产能基数约为美光现有水平的3‑4倍。

短期来看美光虽大幅提速扩产，想要扭转产能劣势、拉近头部两家韩厂的距离，仍需要较长周期。

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