据闪德资讯获悉，近期存储产业扩产节奏迎来转折，行业资本开支不再单一聚焦高带宽内存HBM，正向通用 DRAM、NAND延伸，晶圆投料与实际产出逐步抬升。

韩亚证券9月2日发布预测，2027年DRAM晶圆投入量相较2025年将提升15%，NAND产能也将自2027年起开启增长周期。

三星扩产项目稳步推进，继平泽P4、M15X投产之后，龙仁Y1工厂启动设备采购、平泽P5工厂开启供应商筛选，新一轮建厂周期已经开启。

三星预判2027年内存缺口还将进一步扩大，紧缺行情延续至2028年，2027年末DRAM供应完成率或将下滑至-5.7%。

产业链后端封装投资同步加码，SK海力士投入19万亿韩元布局P&T7产线，三星持续扩充HBM先进封装产能。

受HBM抢占后端产能影响，普通存储封测订单开始向外外包。

上游供应链红利也随之拓宽，受益板块从半导体设备，延伸至零部件、封装材料以及OSAT外包封测赛道，后端检测、封装设备厂商有望迎来新一轮增长机遇。

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