据闪德资讯获悉，近日，特斯拉为Terafab工厂发布出内存工艺集成工程师岗位，主攻DRAM与新兴内存单元工艺集成，释放出正式切入存储制造的明确信号。

该岗位要求推进20nm以下半间距DRAM工艺落地，完成从电容设计到量产准备全流程，同时开展MRAM、RRAM、3D DRAM等新技术研发，联动蚀刻、沉积、电路设计团队完成器件性能验证。

Terafab是特斯拉与SpaceX联合半导体项目，获得英特尔技术支持，远期目标实现每年1太瓦AI算力产出，项目尚处早期，首期168亿美元投向得州格莱姆斯县半导体园区，未来厂区规划可达1亿平方英尺。

项目旨在解决半导体制造碎片化，整合光刻、封装、测试全流程，将芯片设计周期压缩至数周。此次招聘意味着Terafab着手破解AI产业内存供给紧张难题。

马斯克表示：AI热潮中最大的瓶颈是内存，内存供应量每年增长约20%，而需求量每年增长200%甚至更多，二者10倍增速差距造成价格暴涨。

当前DRAM市场由三星、SK 海力士、美光寡头主导，Terafab若实现存储量产，将改写现有供应链格局，但先进存储制造技术壁垒高，项目后续技术落地与量产进度仍待观察。

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