据闪德资讯获悉，当地时间8月5日，FMS 2026大会上，三星公开zHBM、zNAND-O两款下一代3D存储原型，强化AI存储市场竞争力。

zHBM改变传统HBM与AI加速器并排布局模式，沿Z轴把内存垂直堆叠在加速器上方，缩短数据传输路径。相较HBM5，其性能达8倍、能效提升3倍，热阻下降超五成，适配大模型训练推理，还支持客户IP定制，三星将联合处理器厂商联合调优释放性能。

同步亮相的zNAND-O对标HBF方案，融合V-NAND与TSV硅通孔工艺，面向设备端AI，提供4层、8层封装，实现高带宽低时延。原型依托V10 BV-NAND，采用晶圆垂直键合，堆叠突破400层，密度较上代提升58%，读写性能同步增强。

AI 算力推动存储从层数竞赛转向3D键合架构竞争，三星借两款新品补齐算力、端侧AI存储方案，加剧高端存储行业竞争。

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