据闪德资讯获悉，全球存储解决方案供应商Kioxia7月3日宣布，已开始交付基于第十代BiCS FLASH™ 3D NAND 技术的 1Tb TLC 存储器件样品，该产品主要面向企业级及数据中心SSD市场。

第十代BiCS FLASH 采用 CMOS 直接键合阵列（CBA）与间距选择栅极漏极（OPS）等技术，在性能与能效方面实现全面升级。

其中，NAND接口速度提升至 4.8Gb/s，较第八代提升约33%；通过332层堆叠及横向密度优化，位密度提升约59%；同时，写入与读取功耗分别降低18%和30%，显著提升数据中心能效表现。

为因应AI带动的数据中心需求增长，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）正评估进一步扩产，包括兴建新厂房的可能性。

铠侠社长太田裕雄在3日记者会上表示，针对后续扩产规划，公司将评估进一步扩充产能以跟上市场增长步伐，其中在北上工厂新建第三厂房（K3）为备选方案之一。目前公司主要在四日市与北上两大工厂生产NAND Flash。

铠侠也宣布，已开始出货采用第10代BiCS FLASH 3D NAND技术的1Tb TLC产品，主要面向企业级及数据中心SSD应用。该第10代产品已在北上工厂K2开始量产。铠侠北上工厂第2厂房(K2)于2025年9月投产。

点击此处关注，获取最新资讯！