据闪德资讯获悉，SK海力士产能策略传出重大转向，原定扩大HBM4产能的规划已暂缓执行，转而加大传统DRAM产品布局。

此举是由于传统DRAM出现缺货涨价、毛利率显著攀升的态势，加上HBM订单已满载，促使海力士将部分产能资源转回DRAM领域抢攻商机。

英伟达执行长黄仁勋日前才宣布与SK海力士展开新合作，但市场传出英伟达下修Rubin平台生产预测，连带影响海力士HBM4扩产规划。原先拟将部分HBM3E产线转换为HBM4产能，现暂缓执行，并将部分资源转向传统DRAM。

韩媒分析，目前HBM售价虽仍高于DRAM，但受AI服务器与数据中心需求带动，DRAM价格持续上涨，获利率甚至超越HBM。业界推估，今年第一季DRAM营业获利率比HBM高出15%，全年获利率更有机会上看90%。

半导体专家曲建仲表示，以目前DRAM市况来看，毛利率仍相当高，未来产能配置仍有可能持续调整。若海力士增加DRAM产量，整体市场供给将提升，价格涨势可能趋缓。

分析师指出，2027年供给增幅将更明显，内存价格可能面临明显的转弱压力。曲建仲认为，今年存储器价格仍有上涨空间，明年涨势可能放缓；若要出现大幅下跌，除非AI需求明显减少，或国产存储器厂商扩产速度持续加快。

尽管相关传闻引发市场关注，但截至目前，现货市场并未出现预期中的价格回落。相反，最新报价显示价格仍在持续上涨，实际走势与市场普遍预期形成明显反差。

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