据闪德资讯获悉，三星电子23日宣布，已开发出业界首款面向设备端AI时代优化的UFS 5.0嵌入式存储解决方案，该产品基于JEDEC最新UFS 5.0标准，并采用公司第九代V-NAND（V9）闪存技术打造。

在性能方面，UFS 5.0实现最高10.8GB/s顺序读取速度与9.5GB/s顺序写入速度，较现有UFS 4.1性能提升超过一倍，可更高效地处理AI应用所需的大规模数据传输。

同时，该方案针对低功耗移动环境进行了优化，通过时钟门控与多电压控制等技术，将整体能效提升超过40%，在降低功耗与发热的同时，有助于延长设备续航。

其中，时钟门控通过关闭未使用电路信号减少无效能耗，多电压技术则为不同电路提供最优电压，从而进一步提升能效表现。

在结构设计上，UFS 5.0封装尺寸较前代缩小16.7%，规格为7.5×13×0.9毫米，并支持最高1TB容量，有助于提升智能手机、可穿戴设备及XR终端的内部空间利用与设计灵活性。

三星表示，随着设备端AI应用加速普及，移动存储的重要性持续提升，UFS 5.0将为下一代AI手机、XR头显及AI可穿戴设备提供更高性能支撑。

公司计划于今年第四季度启动量产，以满足未来市场需求增长。

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