据闪德资讯获悉，伯恩斯坦（Bernstein）分析师在6月22日最新报告中指出，传统DRAM价格在经历2025年第三季至2026年第二季约4.5倍的大幅上涨后，2027年仍可能继续上行，显示本轮内存“暴利周期”尚未结束。

报告强调，在AI需求推动下，传统DRAM的盈利能力正在显著提升。目前其单位位元平均售价已接近高频宽内存（HBM），部分情况下甚至出现反超，使得市场长期聚焦的HBM在单价优势上被“传统DRAM”追平。

从晶圆经济性来看，传统DRAM凭借更高位元密度与良率优势，2026年每晶圆收入预计可达HBM的约两倍，并维持更高利润率。

以SK海力士为例，其晶圆产能中约23%用于HBM，但77%仍来自传统DRAM，且利润贡献依然以DRAM为主。

报告指出，若要让HBM在单位晶圆产值上追平DRAM，其价格需再上涨约三倍。这也解释了为何AI叙事高度集中于HBM，但产业实际利润核心仍在传统DRAM。

不过，伯恩斯坦提醒，厂商在定价上仍较为克制，若HBM与DRAM同步大幅上涨，将推高AI服务器整体成本，并传导至云服务价格与科技企业资本开支，进而抑制需求扩张。

在产业层面，本轮涨价已带动全球供应链紧张加剧，中国台湾地区的晶圆与封测产能接近满载，美国部分产业也开始关注成本压力并推动供应链调整。

整体来看，内存行业正处于AI驱动的强景气周期，但若2027年价格继续上行，AI算力与存储成本结构或将进一步重塑。

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