据闪德资讯获悉，在COMPUTEX 2026期间，三星电子发布新一代HBM5（第八代HBM）及多项散热管理技术，集中展示其在AI存储领域的技术竞争力，成为市场关注焦点。

三星电子总裁三星电子总裁宋永健在展会上首次公开展示HBM5芯片样机，这也是公司首次对外披露下一代HBM5产品进展。根据规划，HBM5将采用三星自研2nm工艺制程，以提升性能与能效表现。

与此同时，三星同步发布新型散热管理技术HPB（Heat Path Block，热路径阻隔）。随着AI算力持续提升，高带宽内存功耗与散热问题日益突出，散热能力正成为影响下一代HBM竞争力的关键因素之一。

三星强调，未来产品竞争不仅取决于传输速度，更取决于整体散热效率与系统稳定性。

宋永健表示，在AI时代，存储、逻辑芯片及代工制造等全产业链协同能力，将成为企业竞争力的核心，而不仅仅依赖单一存储产品能力。

在产品进展方面，三星在此前已实现HBM4量产，并于上月开始向客户交付HBM4E样品。本次提前披露HBM5路线图，意味着公司正加速向下一代AI内存技术布局，抢占未来市场先机。

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