据闪德资讯获悉，三星电子正式迈出“千层NAND”关键一步。

25日据半导体行业消息，三星电子近期成功实现全球首个900层V级NAND原型技术，并完成采用“单元多重键合（CMB）”技术的900层V-NAND集成系统验证。

这项技术通过将两片450层单元晶圆进行键合，实现超高层数堆叠，也让三星在下一代NAND竞争中率先抢占技术制高点。

NAND闪存是AI服务器、智能手机、数据中心SSD等设备中的核心存储组件，主要负责数据存储。对于当前快速发展的AI市场而言，高容量、高能效存储的重要性正持续提升。

从技术逻辑来看，NAND堆叠层数越高，就像“盖更高的公寓楼”一样，可以在有限芯片面积内存储更多数据，同时进一步提升存储密度与能效表现，因此堆叠能力已成为衡量NAND技术实力的重要指标。

目前在量产市场中，SK海力士凭借321层4D NAND保持全球最高量产层数纪录。不过，三星电子正在加速推进下一代V-NAND布局。

一方面，三星第十代V-NAND（V10，超过400层）已进入量产准备阶段；另一方面，其研发端已率先突破900层原型技术，进一步扩大了与竞争对手之间的技术代差。

对于此次研发成果，三星电子表示，已成功验证“正常的单元运行特性”，意味着该技术不仅停留在理论堆叠层面，而是真正具备了实际运行能力。

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