据闪德资讯获悉，在DRAM尤其是HBM业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案DS部门考虑重启进行半导体新业务研发和投资。

此次讨论的重点包括下一代V10 NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板，这几大业务都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。

随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。

三星电子在2024年4月和9月先后宣布其第九代286层V-NAND TLC和QLC版本进入量产阶段，此后一直未上线新的NAND工艺节点，量产制程已停滞超过2年。

三星电子计划将V10 NAND堆叠层数将跃升至400以上，提升单位晶圆容量产出。

为了达成这一目标，需要引入一系列的工艺创新。

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