据闪德资讯获悉，为突破10nm以下制程微缩瓶颈，三星与SK海力士两大巨头正研发下一代DRAM制造工艺，争夺行业主导权。

不同于处理器，DRAM内存芯片必须依靠电容器存储数据。

随着制程节点不断缩小（如10nm以下的1c节点），电容器的尺寸难以继续缩减，晶体管间距缩小也增加了短路风险。

为了让密度进一步提升，行业正转向3D DRAM，将传统2D平面排列的DRAM单元改为垂直或立体堆叠架构的内存技术。

原理类似3D NAND闪存，通过改变晶体管排列方向（如水平放置）或垂直堆叠，在缩小制程时保持电容器容量。

在技术实现方面，三星和SK海力士已分化出不同发展路线。

三星方面计划推广GAAFET工艺，在DRAM中，三星必须将GAAFET晶体管与电容器整合在同一单元内。

三星考虑借鉴NAND闪存的设计，把负责读写操作的控制电路置于存储阵列下方。

而SK海力士采用的是4F2架构，该方案将晶体管垂直堆叠，同样用栅极材料包裹晶体管，而接收电容数据的组件则置于晶体管柱下方。

这种结构与GAAFET有相似之处，但空间布局逻辑完全不同。

两大巨头虽然路线分化，但核心目标一致：率先实现技术量产，推动自家方案成为下一代DRAM的行业标准，主导AI时代的存储市场。

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