据闪德资讯获悉，三星电子在DRAM制造技术方面取得突破，首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆。

三星电子上月生产了采用10a工艺的晶圆，并在芯片特性检测过程中确认了工作晶圆的存在。这是该公司首次应用4F平方单元结构和垂直通道晶体管工艺的结果。

在DRAM行业，10纳米级别工艺通常按1x、1y、1z、1a、1b、1c、1d的顺序划分代际。

10a代表1d之后的下一代，是首个低于10纳米的节点，专家分析其实际电路线宽约为9.5至9.7纳米水平。

工作晶圆是指从晶圆上切割下来的芯片中能够按设计正常运作的部分。在开发阶段产出工作晶圆，被视为设计与工艺方向正确的信号，之后将进行良率提升和可靠性验证等后续工作。

三星电子计划今年完成基于此结构的10a DRAM开发，明年进行质量测试，并于2028年将其转移到量产生产线。

该公司计划在10a、10b、10c三个代际中使用4F平方和VCT结构，并从10d开始转向3D DRAM。

三星电子此次成功产出工作晶圆，意味着采用该技术的开发与量产工作将加速推进。

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