据闪德资讯获悉，力积电在2026年第1季度线上说明会表示，已与美光启动1P制程DRAM内存的联合研发，预计2027Q1导入设备、2028H1试产、2028H2量产。

1P制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的2.5倍，可为力积电未来利基型DRAM业务的发展打下坚实技术基础。

而力积电受美光委托的PWF（后端晶圆制造）业务则预计2026Q3启动设备导入、2026Q4试产、2027Q4量产，目标月产能2万片晶圆。

并在今年4月大幅提升了NAND闪存晶圆代工的投片价格，其有望在年内完成MLC NAND工艺开发，2027H2可供客户设计定案。

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