新年第一周，存储市场还未正式进入状态，正在陆续恢复，整体表现较为平静，呈现出“节前松动、节后维稳”的态势。

Flash Wafer和DRAM出现截然相反的不同的行情。

DRAM方面，节前受下游备货收尾、需求短暂回落影响，价格已出现明显松动，但现价仍维持在高位，在当前行情属于不正常情况，需要进一步观察。

不过从中长维度来看，DDR4产能逐步收缩，今年产品结构升级成为主线，加上原厂将资源向DDR5倾斜，供需错配将会进一步加剧。

Flash Wafer则在本周迎来强势回暖，节后闪存晶圆原厂合约价实现全线上涨，对比节前价格涨幅高达26%。

经过2025年的调整，SK海力士就透露出DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。

在这样的环境下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，如何定价由原厂说了算，客户没有议价权。

加上下游渠道在节后补库存意愿强烈，原厂借势推动价格修复，也令市场信心得到明显提振。

具体到产品方面，DRAM市场维持年前行情，上游库存水位偏低，加上封装厂调涨，涨价依然会是2026年的常态。

受晶圆端价格上涨，导致芯片上游端供给极度吃紧，SSD市场现货市场仍然较为混乱。

从整体来看，本周存储市场虽未完全摆脱节前淡季的影响，但已显现出明确强势的复苏信号。

随着节后下游备货节奏加快，NAND Flash合约价有望维持强势，DRAM则将继续高位震荡，其中DDR4现货或仍有小幅探底空间。

注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。

本周SSD市场陆续恢复，晶圆端价格上涨，TLC/QLC主流产品月环比涨幅达25%-40%，导致芯片上游端供给极度吃紧。

SK海力士当前NAND库存仅剩约4周，处于历史极低水平，且预计全年将继续下降。

铠侠董事总经理也透露，公司2026年产能已全部售罄。

模组厂成本承压，毛利率将回落。

下游消费端因NAND报价走高环境中需求转弱，企业SSD强劲及行业SSD仍有支撑。

现货市场价格较为混乱，大部分商家还未进入正常工作状态，短期对单为主。

对比节前，本周NVME3.0大致报价，所有容量保持不变。

本周NVME4.0大致报价，所有容量保持不变。

本周SATA3.0市场报价，所有容量保持不变。

本周DRAM市场价格基本延续年前报价行情，新年开工阶段，很多都还未进入正常工作状态，市场整体较为平静。

上游原厂库存维持历史偏低水平，且与一线云服务商签订年度长约后，可流通产能进一步收缩。

与此同时，封测端价格出现修复性上调，模组厂商在成本压力下进行价格转嫁与产品结构调整。

2026年将是DDR5加速渗透的一年，预计下半年渗透率将超过50%，原厂资源持续向高容量与高频规格倾斜，DDR4产能逐步收缩。

产品结构升级成为全年主线，DDR4与DDR5的市场分化将进一步加剧。

对比节前，本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量保持不变。

D3板块，所有容量保持不变。

节后Flash Wafer固带晶圆原厂合约价全线上涨，对比节前价格涨幅高达26%，市场成交仍以询价为主。

自2025年Q4以来，几大原厂与一线云服务厂商及大型OEM签订大量年度长约，导致2026年上半年相当比例的可流通晶圆产能被提前锁定，部分成熟节点几乎无弹性空间。

本轮涨价的核心并非短期炒作，而是供给端结构性收缩叠加利润修复周期下的定价重构。

上半年预计维持高位运行，供给偏紧但节奏可控。

下半年则将进入需求验证阶段，关键变量在于AI服务器扩张强度、消费电子复苏节奏以及原厂产能策略是否松动。

开年行情表现一般，市场询价盘整为主，很多商家还未进入正常工作状态，市场整体较为平静。TF卡市场需求一般，晶圆端拉涨，部分客户还未开工，市场对单为主。

对比节前，本周PCBA大致报价，所有容量保持不变。

本周UDP大致报价，所有容量保持不变。

本周TF卡市场大致报价，所有容量保持不变。