据闪德资讯获悉，中国DRAM原厂正扩大在HBM市场的布局，据悉会将相当大一部分DRAM产能转换为HBM产能。

近年来，DRAM产业竞争日益激烈，也为中国存储厂商带来了新机会。

计划今年将DRAM产能扩充至每月30万片晶圆，其中约20%，约6万片晶圆，将投入HBM3生产。

为了与中国厂商拉开技术差距，三星将从本月底起，率先在全球范围内量产为NVIDIA供货的HBM4。

媒体分析指出，中韩之间的技术差距，由HBM3的前一代产品上约为4年，到了HBM3世代已缩小至3年。

预估三星和SK海力士投入HBM用DRAM的晶圆数量，各约15万片。

相较于NAND Flash技术上约1年、在DRAM技术上约2年的差距，目前这些差距正逐步缩小。

业界人士透露，中国DRAM原厂正与合作伙伴投入HBM研发，即便良率偏低，仍会按预期计划直接进入量产阶段。

随着中韩技术差距逐步缩小，海外PC厂商开始考虑评估采用中国本土的存储产品，以解决存储芯片供应不足的问题。

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