芯片制造领域

在AI对存储芯片井喷的情况下，国内本土厂商在制造核心环节，持续突破技术瓶颈，填补了本土市场缺口。

在DRAM领域，长鑫科技作为国产化领军者，布局合肥、北京双生产基地，3座12英寸晶圆厂已形成DDR、LPDDR全系列产品线，目前正加速推进技术升级，募资295亿元聚焦高端产品研发，其合肥基地月产能已扩至18万片，2026年计划将90%以上产能转向DDR5、LPDDR5X等新一代产品，DDR4产能大幅缩减以适配市场趋势。服务器DDR4在国内市占率已超30%，全球份额约11.1%，预计2027年升至13.9%。

在NAND Flash领域，国产巨头长江存储更是实现了关键技术突破，主力量产232层3D NAND芯片，部分产品通过双层堆叠实现等效294层，性能对标国际一线水平。其武汉三期项目提速至2026年下半年量产，达产后总产能将攀升至30万片/月，全球市场份额有望从当前约8%提升至15%，跻身全球前三。企业级SSD已成功进入阿里云、腾讯云等头部云厂商供应链，订单排至2026年第二季度，2025年产能同比提升40%，有效缓解国内高端存储芯片供给紧张的局面。

芯片设计领域

存储芯片设计领域，国内企业精准卡位细分赛道，依托场景优势，来实现份额提升与业绩增长。

通用存储领域，江波龙作为存储模组龙头，2025年第四季度扣非净利润同比激增578%-710%，AI服务器内存模组出货量占比突破30%，深度受益AI场景放量；德明利聚焦NAND控制芯片，企业级SSD主控芯片市占率提升至18%，2025年营收预增115%-137%，筑牢细分领域龙头地位。

细分到车载存储领域，兆易创新稳居NOR Flash全球第三，车规级存储芯片出货量突破1亿颗，2025年净利润预增46%，持续受益汽车智能化升级；北京君正作为车载存储龙头，实现车规LPDDR4/4X/5/5X全系列量产，车规SRAM全球市占超20%、车规DRAM全球市占15%-19%，智能座舱芯片市占率超40%，覆盖特斯拉、比亚迪等主流车企，2026年第一季度进入车规存储普涨周期，核心品类车规DRAM涨幅达40%-70%，业绩有望迎来爆发式增长。

此外，佰维存储作为AI端侧存储黑马，2025年第四季度营收同比暴增105%-225%，其PCIe Gen5 SSD已通过英伟达认证，成功切入高端AI存储场景。

设备、材料与封测领域

存储产业链配套环节的国产化突破，是本土存储产业实现自主可控的关键支撑，目前国内企业已在设备、材料、封测等领域逐步打破海外垄断。

在设备领域，北方华创作为半导体设备龙头，2025年新增订单中60%以上来自存储产线扩建，刻蚀设备成功进入长鑫科技、长江存储供应链；中微公司的5nm刻蚀机实现量产，推动存储芯片制造设备国产化率提升至25%，同时长江存储武汉三期项目设备国产化率目标达70%以上，进一步强化本土设备供应链韧性。

材料领域中，江丰电子的超高纯溅射靶材打破海外垄断，存储芯片靶材市占率突破30%，韩国基地即将投产，进一步拓展全球市场；封测领域，通富微电作为存储封测龙头，深度绑定长鑫存储、长江存储，承接45%核心封测订单，2025年HBM堆叠封测订单增长400%，产能利用率维持在95%，同时承接AMD超80%的封测订单，受益于AI芯片封测需求爆发，2025年汽车电子业务同比暴涨200%，形成多元增长格局。

挑战与机遇并存

虽说这轮AI引发的存储行业增长周期，为中国存储产业链带来了前所未有的发展机遇，但也伴随着多种风险因素。

像在技术层面，HBM4、DDR6等新技术可能改变现有的市场竞争格局。在供应链层面，关键设备的进口限制可能对产能扩张进度造成影响。

但从产业发展规律看，每次出现外部压力，无一例外都往往加速了国产替代的进程。长江存储128层3D NAND量产、长鑫科技LPDDR5X芯片下线，北京君正16nm先进制程逐步量产，国内存储产业链已形成完整布局与协同发展态势，将彻底改变依赖进口的局面，并在AI、汽车电子、数据中心三大领域实现全面突破，打破美日韩多年垄断格局。