据闪德资讯获悉，SK海力士正加快推进用于HBM4的10纳米级第五代1b DRAM量产进程。

原因是与英伟达HBM4品质测试已接近收尾阶段。

SK海力士计划通过增加1b DRAM晶圆投片量，并同步推进清州M15x晶圆厂扩建及M16晶圆厂制程转换，以提升整体产能。

并计划年内在M15x晶圆厂新增月产能约4万片晶圆，并加快M16产线制程调整。

SK海力士内部评估认为已基本满足英伟达对HBM4提出的更高性能要求，故决定提速量产。

2026年HBM4供应合已在去年敲定，但谁能率先提供最终符合英伟达要求的HBM4，成为衡量企业当前技术实力的重要指标。

结合英伟达下一代AI加速器发布时间表，HBM4作为核心部件，需自2月起实现稳定供应。

三星已明确本月出货，SK海力士也正扩大量产规模以响应英伟达的需求，以维持HBM市场领先地位。

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