据闪德资讯获悉，三星电子与SK海力士两大韩系原厂计划于2026年第二季度启动最尖端NAND闪存产线转换投资。

此前因DRAM投资优先，相关安排有所延后，目前具体实施方案已逐步明确，旨在应对AI产业带动下NAND市场需求大增的行情。

三星电子于2024年9月已启动280层V9 NAND闪存量产，但当前产能规模较小，月产能合计约1.5万片晶圆。

当时三星考虑到市场需求不足，只在平泽园区部署了初期量产线。

自2026年第二季度起，公司将重点推进西安X2产线转换。目前西安X2主要生产6至7代旧款NAND，而邻近的X1产线的第8代NAND转换基本完成。

此次转换投资规模预计达月产能4万-5万片晶圆。考虑设备部署周期，V9 NAND产品预计于2027年进入产能爬坡阶段。

SK海力士同步计划于第二季度在清州M15工厂推进321层第9代NAND产线转换，目标将当前月产能的2万片，提升至约3万片。

两家原厂此前设备投资重心集中于DRAM领域，但随着NAND闪存市场供应紧张，企业正加速调整产能布局。

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