据闪德资讯获悉，中国存储芯片厂商在加急打造HBM半导体设备生态系统，为大规模生产HBM做准备。

受美方先进半导体设备管制影响，设备供应已成为中国HBM制造最大障碍，为此国产厂商不惜一切代价推进设备本土化。

中国半导体设备相关企业正在加速将原本用于DRAM制造的设备改造升级，开发适用于HBM的专用设备。

中国存储半导体行业正逐步摆脱以通用DRAM为中心的投资模式，专注扩充HBM专用的生产线和设备。

DRAM、NAND两大中国本土存储大厂也已投身于HBM的开发。

NAND原厂计划在今年量产HBM3，据评估其技术实力已足以向华为等国内AI芯片企业提供样品。

DRAM原厂已着手开发HBM核心的硅通孔（TSV）技术。TSV技术通过在芯片上钻出微孔，利用电极连接上下层芯片并实现堆叠，从而实现大容量和高带宽。

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