据闪德资讯获悉，三星电子预计今年将把DRAM 晶圆产量提升至近 800 万片，较去年的约 760 万片增长约 5%。随着平泽工厂产能释放，三星有望首次实现单季 200 万片晶圆的生产规模。不过，由于向 10 nm第六代（1c）DRAM 工艺过渡，阶段性良率与产出下滑，实际增量可能低于预期。

从行业整体看，DRAM 供给增长依然有限。Omdia 数据显示，SK 海力士今年 DRAM 产量预计同比增长约 8%，达到 648 万片，主要受清州 M15X 工厂扩建、下半年投产推动；美光产量预计约 360 万片，与去年基本持平。

尽管三大原厂均在扩产，但新增供给仍不足以缓解全球内存短缺。业内普遍认为，在三星平泽P4 工厂正式投产前，DRAM 供应紧张局面难以明显改善，而 P4 即便加快建设，最快也要到 2027 年以后投产。SK 海力士的显著扩产同样有赖于龙仁半导体产业集群全面落地。

需求端压力依旧明显。KB 证券数据显示，目前 DRAM 客户需求满足率仅约 60%，服务器 DRAM 更低于 50%。在供需缺口持续存在的背景下，DRAM 与 HBM 价格上涨趋势仍有望延续。

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