据闪德资讯获悉，三星在高带宽内存（HBM）领域的布局遭遇了新的打击。

近期供应链消息显示，谷歌取消了将自主设计的AI服务器芯片搭配三星HBM3E的计划，转而寻求其他供应商合作。

原本，谷歌计划通过台积电采用CoWoS封装技术，将芯片与三星HBM整合，但突如其来的变动打乱了双方合作进度。

业内人士指出，三星HBM3E未能顺利通过英伟达的关键认证测试，是谷歌决策转向的主要原因。

为规避风险，谷歌可能将目光投向了美光，进一步加剧了三星在高端HBM市场的压力。

谷歌的供应链调整不仅令三星措手不及，也为美光打开了机会之门。

供应链消息指出，美光正加速扩展HBM产能，积极向云服务提供商（CSPs）推广其高带宽内存解决方案。

近期，美光已经将产品供应范围扩展至ASIC服务器开发者，进一步巩固其在新兴AI基础设施领域的布局。

市场传言称，美光有望接手部分因三星认证受阻而空出的订单，趁机提升在高端HBM市场的份额。

这一连串动作，预示着HBM供应格局正在悄然发生变化。

在三星陷入认证困境的同时，SK海力士在12层HBM3E的开发进度上明显占据了领先优势。

尽管GB300设计调整可能对整体出货节奏带来一定变数，但在高端HBM市场供不应求的大背景下，SK海力士凭借高良率优势，迅速锁定了大量供应合同。

预计到2025年第二季度，SK海力士的HBM3E出货量将占到整体市场的半数以上，全年HBM产品销售规模有望实现翻倍增长。

面对竞争对手步步紧逼，三星在高端内存市场的压力日益加剧。

尽管三星在8层HBM3E的出货上仍有一定进展，且凭借此前与英伟达合作的H20芯片项目在短期内迎来了一波紧急订单需求，但整体局势并不乐观。

美国政府对H20芯片出口的最新限制措施，要求特别许可，严重打击了未来的出货预期。

三星目前是H20搭配HBM3的主要供应商，市场份额高达90%。

然而，随着出口政策趋严，英伟达也在加速将新一代H20E芯片的HBM供应链切换至SK海力士和美光。

短期爆发的红利掩盖不了三星在高端HBM供应链中地位逐渐式微的现实。

另外，随着国际局势变化，中国加快了高带宽内存（HBM）国产化的步伐。

昇腾910B与最新910C芯片已搭载自研的HBM2E模块，而它们在限制生效前主要依赖三星供应。

除华为外，越来越多中国GPU制造商也在采用HBM2或HBM2E设计，进一步拉高了本地化研发的紧迫性。

国内内存厂商也在加码投入，计划2024年下半年小规模量产HBM2，并在2026年推进HBM3的量产。

面对国产势力的迅猛崛起，三星不仅在高端HBM市场面临美光和SK海力士的挤压，还在传统HBM领域遭遇新一轮挑战，双重压力正在动摇其存储霸主的地位。

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