据闪德资讯获悉，中国存储大厂今年DRAM产能将大幅超出预期。

如果趋势持续，DRAM产量预计将紧随美光，有望达到SK海力士的一半。

未来的全球DRAM市场将从三方格局变为四方格局，供给过剩将成为现实。

三星电子、SK海力士、美光近15年来形成的三足鼎立格局，开始被打破。

虽然中国DRAM市场份额还很低，但正在飞快上升，产生了滚雪球效应。

这也是韩国在存储产业取代日本的发展方式。

知情人透露，该厂商还在HBM研发上大规模投入，正在开发HBM2E（第三代HBM）和HBM3（第四代HBM）。

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