据闪德资讯获业界消息，SK海力士第六代10纳米级1c DRAM的近期良率已达到约80%。

1c DRAM预计其电路线宽为11~12纳米（nm）左右。

去年下半年，该产品良率曾被认为在60%区间，如今成功实现了提升。

通常，DRAM产品若良率达到80%以上，便可视为稳定。

SK海力士曾于去年8月宣布，成功开发出全球首款采用1c工艺的16GB DDR5 DRAM。

然而，为了应对不断增长的HBM需求，SK海力士将设备和人力优先配置到了HBM生产线上。

即使在1c DRAM上实现了较高良率，也难以轻易扩大产量。

在明年即将推出的第六代HBM4产品中，SK海力士仍将沿用与第五代HBM3E相同的1b DRAM。

因此，计划于今年年底竣工的清州M15X工厂也将重点扩建应用1b工艺的生产线。

目前，SK海力士正投资120万亿韩元建设全球最大规模的半导体工厂——龙仁集群。

但预计要到2027年才能竣工。

因此，也有人认为，在1c DRAM领域，三星电子可能会抢占先机。

虽然在下一代DRAM技术实力方面，三星电子一度落后，但在产能方面仍大幅领先于SK海力士。

根据市调机构的数据，按晶圆投片量计算，三星电子的DRAM产量至少是SK海力士的1.5倍以上。

目前，三星电子也在技术层面全力聚焦于1c DRAM，希望重夺市场主导权。

公司正在重新设计1c DRAM，并计划从HBM4开始引入1c工艺产品，加速技术开发进程。

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