UNIS推出了S5和S5 Ultra Gen5 SSD，读取速度高达14.9GB/秒，超越三星和Crucial等竞争对手。

S5采用12nm控制器和无DRAM设计，S5 Ultra包括DRAM缓存和6nm控制器。

全新S5系列包括基础款S5和S5 Ultra，均采用M.2 2280外形尺寸和PCIe 5.0 x4接口。

基本型S5连续读取速度高达14.9GB/秒，连续写入速度高达12.9GB/秒，击败了竞争对手，三星9100 PRO的14.8GB/秒和Crutial T705的14.5GB/秒。

使用的是较落后的、未知的12nm控制器和无DRAM设计。

S5 Ultra升级为双PCB设计，配备DRAM缓存和升级的6nm控制器， 很可能是Silicon Motion SM2508。

S5 Ultra有点令人困惑，因为名字暗示更快（S5对比S5 Ultra），但S5 Ultra实际上更慢。

14.2GB/秒连续写入速度（低于S5上的14.9GB/秒），13.4GB/秒的连续写入速度高于S5的12.9GB/秒。

对于需要提高工作效率、内容创作和AI工作负载（不是玩游戏）的用户来说，速度较慢但包含DRAM缓存的S5 Ultra将是赢家。

S5系列SSD配备1毫米石墨烯无源散热器。

市场定位方面，S5系列针对游戏和内容创作场景，S5 Ultra针对AI PC和专业生产力需求。

美光4600、三星9100 PRO面对OEM市场和高端消费群体，9100 PRO配备8TB，可以适配数据中心。

紫光S5系列是通过差异化布局，以性价比抢夺市场。

在散热和主控方面有待观察，长期稳定性和颗粒耐久性等待测试验证。

S5提供1TB和2TB容量，S5 Ultra推出2TB和4TB版本。

TLC NAND闪存，5年质保。

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