中国DUV关键技术获重大突破

2025-03-24
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国际光电工程学会(SPIE)报道,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光器,能发射193纳米的相干光(Coherent Light),该波长目前被用于半导体曝光技术。

而这项技术已在中国实验室中实现。
如果光源技术能够扩展,此装置就可以用来制造曝光设备。
以传统技术来看,ASML、Canon和Nikon的DUV光刻机利用氟化氩(ArF)准分子激光器产生193纳米光源。
这种激光器内包含氩气与氟的混合物,以及氖气作为缓冲气体。
当施加高压电脉冲时,氩原子与氟原子被激发,短暂形成不稳定分子ArF(或准分子),此分子迅速返回基态,释放出波长为193纳米的光子。
由于激光器以短而高能量的脉冲方式发射这些光子,输出功率高达100W-120W、频率在8~9 kHz。
然后这束193纳米光束透过光学系统进行整形、引导与稳定后,当光线进入光刻扫描器时,会透过光罩(photomask)将芯片电路图案曝光至晶圆上。
中国科学院开发的测试装置采用全固态方法产生193纳米的光,完全避免使用气体的准分子激光。
它先使用自制的Yb:YAG晶体放大器,产生1030纳米的激光束,随后该光束被分成两条光路,每条光路都经过不同的光学制程,以产生193纳米所需的元件。
在第一条路径中,1030纳米光束透过四次谐波产生(FHG,Fourth-Harmonic Generation)转换成258纳米的光束。
“四次谐波产生”是种非线性光学制程,可将激光束转换成原始波长的四分之一。
在第二条路径中,1030纳米光束的另一半被用于泵浦光学参数放大器,产生功率为700mW的1553纳米光束。
这两个光束之后在串联的三硼酸锂(LBO)晶体中结合,产生波长为193纳米的相干光,平均功率为70mW,工作频率为6kHz。
中国科学院表示,测试系统的线宽窄于880MHz,其光谱纯度性能可媲美目前使用的商用系统。

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