三星电子DS部门在国际固态电路会议（ISSCC）上发表主题演讲，并展示了晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。

据介绍，这些技术将从400层的NAND闪存技术开始应用，键合技术可用于实现1000多层NAND堆叠。

还展示了1000层 NAND的Multi-BV NAND结构，堆叠四片晶圆（2+2）以打破结构限制。

铠侠也在研究类似的多栈 CBA (CMOS directly Bonded to Array)，目标是到2027年开发出1000层3D NAND。

据了解，在单个晶圆上仅通过单元堆叠的方式最多可堆叠约500层NAND，要想实现1000层NAND则不可避免地用到多片晶圆。

除晶圆键合技术外，三星还展示了为下一代NAND的大批量量产而准备的低温蚀刻和钼沉积等创新技术。

低温蚀刻预计将用于400层或以上的NAND通孔，目前东京电子与Lam Research正在开发相关设备。

低温蚀刻设备最大的特点是能够在极低的温度下保持高速蚀刻，从而减少NAND蚀刻期间的堆叠问题。

三星电子和SK海力士分别使用TEL设备和Lam Research设备。

三星还准备为字线（与晶体管源极部分连接的线路，负责读取和写入）材料引入钼（Mo）元素，以此取代钨（W）和氮化钛（TiN）材料，从而大幅降低晶体管的电阻率。

通过钨可以减少的层高已经达到极限。

如果使用钼则可以进一步减少30%至40%。

Lam Research已经向三星电子提供了多台钼沉积设备。

随着新技术的应用，继设备市场之后，材料市场也将经历激烈竞争。

从新一代NAND闪存开始，不仅是前驱体，蚀刻液剂、动力气体等也将迎来大量变革。

点击此处关注，获取最新资讯！