三星重新设计1c DRAM提高良率 ssd新闻存储新闻

2025-02-12

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三星电子自去年下半年起正在对最尖端DRAM进行重新设计，朝着增加芯片尺寸的方向发展。

这被解读为一项重视"良率"而非生产效率和性能的战略，目的是集中力量实现HBM等高附加值内存的稳定量产。

业界消息，三星电子自去年下半年开始，开发尺寸较现有产品更大的1c DRAM。

三星电子计划将1c DRAM优先应用于下一代HBM4。

这背后的意图是通过领先竞争对手一代的DRAM技术来快速提升HBM的竞争力。

SK海力士和美光等竞争对手则计划在HBM4中采用1b DRAM。

不过，三星电子的1c DRAM从开发初期就面临良率提升的困难。

虽然在去年下半年获得了首批合格品，但据悉良率尚未达到理想水平。

主要原因在于生产效率。

最初三星电子考虑到竞争对手的因素，决定减小1c DRAM的芯片尺寸。

芯片尺寸越小，相同晶圆投入量可获得的产量就越高，有利于提高制造成本效率。

然而，这种做法也引发了稳定性下降的问题。

为此，三星电子在去年年底决定对1c DRAM的设计进行部分修改。

主要是在保持核心电路最小线宽的同时，放宽周边电路的线宽标准，以期快速提升良率。

多位知情人士表示："三星电子在将1c DRAM的芯片尺寸调大的方向上改变了设计，目标是在今年年中提高良品率。看来他们即使付出更多成本，也要将重点放在实现下一代内存的稳定量产上。"

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