三星电子已开始建设10nm第7代DRAM（1d DRAM）测试线，并准备开发10nm第8代DRAM（1e DRAM）。

考虑到开发路线图，预计该规划仍处于非常早期阶段。

目前三星电子正在量产10nm第5代DRAM（1b DRAM），电路线宽约为12.54nm。

计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM（1c DRAM），正在提高良率，目标明年5月之前获得1c DRAM 的内部量产批准（PRA）。

三星电子今年第四季度开始在平泽P2工厂建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，预计明年第一季度全面建成。

业界认为，三星电子的产品开发策略发生了变化，经过最新调整后，正在积极鼓励技术发展。

在DRAM领域，三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术，以应对下一代DRAM市场，1e DRAM也是其中之一。

VCT DRAM是目前最有可能的发展方向，由于结构与现有DRAM不同，需通过堆叠两片晶圆（核心/外围晶圆和单元晶圆）来生产，因此大规模的设备更换势在必行，生产成本也将会大幅增加。

与4F² VCT DRAM或3D DRAM不同，1e DRAM与目前产品没有结构变化，因此无需大规模设施投资。

如果三星电子在1d DRAM之后推出1e DRAM，预计将显著降低CAPEX和生产成本。

一旦选择先量产1e DRAM，VCT DRAM的量产预计将推迟。

三星电子最初计划在2027年量产10纳米以下的VCT DRAM。

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