美光公布HBM4内存最新进展

2024-12-23
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在最新的投资者会议上,美光透露了HBM4开发进展顺利,下一代HBM4E内存的研发也已在进行中。

该公司进一步透露,其HBM4预计堆叠多达16个DRAM芯片,每个芯片的容量为32GB,并配备2048位宽的接口。

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这使得HBM4性能比上一代HBM3E提高50%以上。

美光HBM4内存产品将在2026年实现大批量生产。

美光的下一代HBM4E产品的开发工作也正与多家客户一起顺利进行。

美光的HBM4E内存不仅会提供比HBM4更高的数据传输速度,还可根据客户的需求定制基础芯片。

美光表示,HBM4E的推出将改变存储行业,它将提供定制逻辑芯片的选项,借助台积电先进的代工制造工艺,美光将能够为特定客户提供定制化解决方案。

这种创新定制功能将推动美光业绩进一步增长。

目前HBM需求强劲,美光自己也透露,到2025年,生产线已被预订。

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