三星电子即将迎来进入半导体业务50周年。

收购韩国第一家半导体晶圆加工生产公司韩国半导体，成为三星电子当前的垫脚石。

过去50年来，三星电子取得了令人瞩目的增长，成为全球第一大存储器公司。

然而，最近却遭遇危机，HBM市场表现低迷。

三星电子长期保持第一存储半导体公司的地位，通过大胆投资和持续研发展现出卓越的竞争力，并实现了显著增长，包括将DRAM容量增加了50万倍。

然而，由于近期全球经济低迷，半导体业绩低迷，三星电子内部和外部的危机感正在增强。

三星电子半导体业务始于1974年12月6日，当时担任三星关联公司董事的已故会长李健熙投入个人资金收购了韩国半导体。

韩国半导体是韩国第一家半导体晶圆加工和生产公司，当时濒临破产。

三星电子半导体业务主要生产功能简单的手表和电视芯片，1983年所谓的“东京宣言”迎来了转折点。

已故三星创始会长李秉喆1983年2月通过《东京宣言》正式宣布进军国内外半导体业务，并开始建设器兴工厂，该工厂通常需要18个月以上的时间，不过仅仅耗时6个月建成。

当时，没有人期望成功，但在1983年11月，产品开发开始六个月后，三星独立开发了整个半导体工艺技术，包括64Kb DRAM加工、检查和组装技术，并成为全球领先者。

韩国是继美国和日本之后世界上第三个成功开发先进半导体的国家。

1988年11月，通过与三星半导体通信有限公司合并，半导体业务正式开始。

三星在1989年之前一直排名第4，仅次于日本东芝、NEC和美国德州仪器，1990年以12.9%的市场份额紧追第一名东芝（14.7%），1992年超越东芝（12.8%）在全球DRAM市场中的市场份额为13.5%，排名第一。

1992年也是历史性的一年，三星开发出了世界上第一个64Mb DRAM。

自从正式进入半导体业务并开发64Kb DRAM以来，集成度在短短9年内增长了1000倍。

1993年位居全球存储半导体行业第一，并保持第一名长达30多年。

1994年全球首次开发出256Mb DRAM，2002年全球率先量产NAND闪存，2011年全球首次量产20纳米级DRAM，全球首次量产第一代V-NAND。

2013年推出3D垂直结构，2016年推出全球首款10纳米NAND，创下高端DRAM量产记录。

2022年实现了全球首个采用下一代技术Gate All around（GAA）的3纳米工艺商业化，2023年4月成功量产了业界首款1Tb TLC第9代V-NAND。

目前最大容量的32Gb DDR5 DRAM在2023年9月开发并发布，容量是1983年64Kb DRAM的50万倍。

三星电子半导体部门的销售额在1975年仅为2亿韩元，1986年突破1000亿韩元，1991年达到1万亿韩元。

2022年创下了有史以来最高的销售额，达到了98万亿韩元，与1993年在存储半导体领域取得第一名（2.7万亿韩元）相比，在29年间增长了36倍。

今年，半导体销售额预计将历史上首次突破100万亿韩元。

2022年半导体营业利润为24万亿韩元，比1983年《东京宣言》时增长7000多倍，比1993年增长31倍。

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