三星誓言通过新的研发中心重新夺回芯片领先地位，将在2030年前投资20万亿韩元（144 亿美元）。

三星表示加速下一代技术的基础研究和大规模生产。

我们将在三星电子50年半导体历史的起点器兴奠定新的飞跃基础，为下一个100年创造新的未来。

借助新的研发中心，三星电子力争在HBM芯片市场赶超SK海力士。

该研发中心将建在三星电子器兴园区，占地面积10.9万平方米，将芯片开发和生产设施集中在一起，以帮助加快下一代芯片的开发。

2025年中期开始运营一条专门用于研发的生产线。

New Research&Development - K将配备先进设备和基础设施，包括EUV光刻机和新材料沉积设备，以开发未来领先的存储芯片，如3D DRAM和1000多层的V-NAND。

还将建立晶圆键合基础设施。

考虑到器兴是全球许多相关公司的所在地，这一先进研发中心也有望帮助扩大韩国半导体行业的原材料、零部件和设备研发生态系统。

1983年，三星在器兴园区启动了半导体业务，当时向规模更大的日本芯片巨头发出了挑战。

1992年，器兴是世界上第一款64Mb DRAM芯片的诞生地。

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