三星电子和SK海力士正在利用超低温蚀刻技术推进下一代内存技术，该技术最初应用于高密度多层 NAND闪存。

研究表明，该技术目前正在DRAM生产中进行测试，为下一代内存的创新铺平了道路。

超低温蚀刻技术可去除晶圆上的多余材料，是内存和系统半导体制造不可或缺的部分。

超低温蚀刻因精度和效率优势，在下一代存储器制造中越来越受欢迎。

据Lam Research称，该工艺可在低至-60°C至-70°C（-76°F至-94°F）的温度下运行，从而提高3D NAND和DRAM等多层存储器结构的蚀刻精度和均匀性。

与在-20°C至30°C之间进行的传统蚀刻不同，超低温蚀刻可最大程度地降低化学反应性，从而实现无需保护层的精确蚀刻。

这可同时提高蚀刻速度和精度，对高级内存应用至关重要。

三星计划在即将推出的第10代V NAND中使用超低温蚀刻，预计将达到430层左右。

这些蚀刻进步将提高生产效率并增强高密度存储器中的设备性能。

三星正在DRAM生产线上测试超低温设备，SK海力士则探索将该技术用于DRAM电容器，以潜在地提高组件性能和可靠性。

如果低温蚀刻技术被证明可用于DRAM大规模生产，三星可能会将引入第7代10nm级 DRAM。

业内正在为2025年第6代1c DRAM的大规模生产做准备。

作为HBM的核心部件，DRAM通过垂直堆叠芯片来加速数据处理。

低温蚀刻的采用将显著影响下一代HBM的竞争。

业界预测，低温蚀刻也可应用于HBM中的硅通孔 (TSV)，低温可提高精度和效率。

尽管挑战依然存在，但低温蚀刻的未来应用预计将大幅扩展。

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