美国主要半导体设备公司预测明年DRAM投资将持续强劲。

分析认为，随着HBM需求的持续增长，制造商将扩大DRAM产能。

这与摩根士丹利的立场形成鲜明对比，摩根士丹利最近预测半导体行业将出现下滑。

应用材料公司(AMAT)、Lam Research和KLA上个月参加了Goldmark Sachs技术会议，并宣布DRAM制造商预计将像今年一样积极扩大产能，以应对HBM需求。

要增加HBM产量，就必须增加DRAM产能。

应用材料公司董事长加里·迪克森 (Gary Dickerson) 表示，客户告诉我们，他们需要三倍数量的晶圆来生产与 HBM 相同的位数（通用 DRAM）。

这是一个非常强劲的需求驱动力。

Lam Research首席财务官Doug Bettinger表示，由于从DDR4向DDR5和HBM的过渡，今年 DRAM投资强劲，预计这一趋势明年将持续下去，不会减弱。

KLA CFO Brene Haggins也预测，由于HBM消耗了部分DRAM产量，明年将进行更多DRAM投资。

应用材料公司是全球最大的半导体设备公司。 

Lam Research和KLA也是全球排名前五的半导体设备公司，他们的预测非常有说服力，因为它们反映了实际的订单情况。

随着HBM产能的扩大，对先进封装的投资预计也会增加。

今年，HBM相关尖端封装的销售额预计明年将进一步增长，Applied表示与前一年相比增长了6倍，Lam Research则与前一年相比增长了3倍。 

KLA还报告称，由于HBM良率问题，后端工艺对检测设备的需求正在增加。

我们对明年NAND闪存市场的前景持较为保守的态度。

由于近年来NAND闪存的投资一直很少，因此相信明年的投资将因技术转型而出现数字增长，但与逻辑、DRAM和先进封装相比，增长量将微乎其微。

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