9月3日，SK海力士封装开发副总裁李康旭在台北南港展览馆举办的“2024异构集成全球峰会”上发表了题为“面向AI时代的HBM和先进封装技术”的演讲。

此次活动重点介绍了SK海力士与台积电在下一代HBM领域的合作，展示了该公司在面向AI时代的定制存储器领域的领导地位。

演讲强调了异构集成技术日益增长的重要性，该技术将采用不同工艺制造的半导体芯片集成到单个封装中。

这项技术对于最大限度地提高HBM4的性能至关重要，该产品计划于明年量产。

目前的8层和12层HBM3E每秒处理超过1.18TB（兆兆字节）的数据，支持高达36GB的容量。HBM4将以12层和16层的形式提供，最大容量为48GB，数据处理速度超过每秒1.65TB。通过将逻辑工艺应用于HBM4的基片，预计性能和能效将得到改善。

SK海力士和台积电正在合作开发HBM4，预计2025年实现量产。

此次开发的关键是使用台积电的5纳米工艺在HBM4封装底部创建基片。

HBM是通过在基片顶部堆叠多个DRAM并使用TSV（硅通孔）技术垂直连接它们而创建的。

基片连接到GPU（图形处理单元），并控制HBM的性能。

SK海力士采用MR-MUF封装技术允许低键合压力和温度应用以及批量热处理，与其他工艺相比，散热性能优势超过30%。

我们正在为16层产品准备先进的MR-MUF和混合键合方法，并计划选择满足客户需求的最佳方法。

目前，SK海力士正在量产采用MR-MUF技术的HBM3和HBM3E 8层产品，以及采用先进MR-MUF技术的12层产品。

同样的技术将应用于HBM4 12层产品的量产，预计明年下半年出货。

此外，SK海力士正在为HBM4之后的第七代HBM4E做准备。

AI市场对HBM的需求也有望大幅增加。预计生成式AI市场在2023年至2032年期间的年均增长率为 27%，而HBM市场在2022年至2025年期间的年均增长率为109%。

这一增长凸显了SK海力士在HBM技术方面取得进步的重要性。

台积电总监侯尚宇强调，随着人工智能训练应用的增多，异构集成技术的重要性也日益凸显。

中介层和封装基板尺寸的缩小问题已不可避免。在基板晶圆芯片（CoWoS）中封装12个HBM和9个光罩之后，下一步将是晶圆系统（SoW），它将组装43个光罩。

CoWoS是台积电开发的2.5D封装技术，用于NVIDIA的AI半导体封装。

另外，曾就职于台积电的三星电子先进封装开发组副总经理林俊成，将在9月6日SEMICON Taiwan活动最后一天的“异构集成全球峰会”担任演讲嘉宾，讲解CoRW混合Cu键合的16层HBM堆叠技术在HPC/AI/ML应用领域的应用。

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