1c节点，第六代10nm工艺，采用业界领先的1b技术平台，最高效开发

采用新材料、优化EUV工艺，提升成本竞争力，同时提高电源效率，帮助数据中心电力成本最高降低30%

预计今年实现量产，2025年批量出货

将1c节点应用于尖端DRAM产品，为客户带来差异化价值

SK海力士宣布，已经开发出业界首款采用1c节点（10nm工艺的第六代）制造的16Gb DDR5。

这一成功标志着存储器制程技术开始极限微缩至接近10纳米的水平。

10nm级DRAM技术的微缩工艺不断推进，难度不断增加，但SK海力士凭借业界领先的第五代10nm工艺1b技术，在业界首次提高设计完成度，突破技术限制。

SK海力士将在年内准备好量产1c DDR5，明年开始批量出货。

为了减少工艺推进过程中可能出现的错误，并以最有效的方式转移被誉为性能最佳的DRAM的1b的优势，该公司将1b DRAM的平台扩展用于1c的开发。

新产品在极紫外（EUV）光刻工艺中采用新材料，同时优化了EUV光刻的整体应用工艺，与上一代产品相比，成本竞争力有所提升。

SK海力士还通过设计方面的技术创新，将生产效率提高了30%以上。

预计将用于高性能数据中心的1c DDR5的运行速度比上一代提高了11%，达到8Gbps。

由于功率效率也提高了9% 以上，预计在 AI 时代的发展导致功耗增加的背景下，采用1c DRAM将有助于数据中心将电力成本降低多达30%。

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