中国半导体制造设备落后5年 

2024-08-23
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美国智库信息科技与创新基金会(ITIF)发布的一份分析报告,显示中国虽然致力于实现自给自足、降低对外国的依赖;但芯片设计和制造能力仍明显落后美国及其盟国,先进半导体设备的制造能力更是落后5年。

在设计逻辑芯片方面,中国公司落后全球领先者约大约2年。

而在存储芯片方面、以及半导体制造设备和封装领域,中国企业积极新创新、试图迎头赶上,但仍然落后有数年差距。

SMIC可能就落后世界领先的台积电大概5年差距;而制造半导体方面的光刻机,甚至也可能落后大约5年的差距。

中国在智慧财产权和创新方面取得显著进步,专利申请量超过美国和日本。

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中国根据《专利合作条约》(PCT) 提交大量与芯片相关的国际专利申请,中国半导体产业在2020年获得3400多项批准专利,而十年前仅为122项。

不过,专利申请增加,许多并不代表是重大创新。

中国企业似乎在价格上的竞争比在创新上的竞争更多。

然而,就半导体产业研发(R&D)强度而言,中国的研发强度为7.6%,仅为美国(18.8%)的40%,也低于欧盟企业15%的水平。

 这份报告总结,中国大力发展成熟的本土闭环半导体产业,激发了大量的创造力和创新,但在当前如此极其复杂的科技生态系统中,想自立于全球产业链外单打独斗的战略对中国来说将是非常困难。

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