广岛大学的初创企业MATERIAL GATE最早2025年发售一种新材料，该材料可将半导体存储器的耗电量降低9成。

该公司自主开发了在微细的情况下也能控制金属离子配置的分子，即使不持续通电也能存储信息。

 新材料为粉末状，可用作存储和导电的电容器、控制电流的晶体管的绝缘材料。

预计将用于存在大容量和节电存储需求的生成式AI，以及用于太空开发的数据服务器及计算机。

该材料是一种单分子电介质，只需一个分子就可以显示0或1这种1比特（bit）信息。

这是担任Material Gate首席科学官（CSO）的广岛大学研究所教授西原祯文等人发现的特殊分子。

这种分子上下有两处可以让金属离子停留的地方。

可通过停在哪一处来表示0或1的信息，因此可以用作即使停电也不会失去存储信息的非易失性存储器的材料。

MATERIAL GATE的单分子电介质大小为1nm，与现有的非易失性存储器相比，可在相同体积下保持1000倍左右的信息。

据悉如果将易失性存储器替换为使用该公司新材料的非易失性存储器，存储介质整体的耗电量可减少9成。

新材料将推销给日本国内的半导体相关企业。

今后将推进材料的量产化和产品化等。

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