三星电子将在今年年底开始第6代高带宽存储器（HBM4）的流片。

这是明年底HBM4 12层产品量产的前期工作。

流片是半导体设计的最后一步，这意味着向代工厂交付设计图纸。

由于也制作了光掩模，因此也成为掩膜流片（MTO）。

HBM4测试产品预计最早将在明年发布。

从流片到最终测试产品出来需要3-4个月的时间。

三星电子将在验证最初生产的HBM4产品的性能，进行设计和工艺改进。

随后将会给主要客户送样品。

三星电子内部很低调，认为现在还很难说产品路线图和相关时间表。

SK海力士计划在明年下半年量产HBM4 12层产品。

从HBM4开始，两家原厂都是用代工工艺，而不是DRAM工艺生产逻辑芯片。

据悉，三星电子计划使用4nm代工工艺，SK海力士则是使用台积电的5nm和12nm工艺。

在内存核心芯片方面，三星决定使用10nm第6代1c DRAM，SK海力士还在10nm第五代1b DRAM和1c DRAM之间犹豫。

SK海力士研发表示，内部决定使用1b DRAM作为HBM4核心芯片，听到三星电子使用1c DRAM之后，SK海力士也在考虑。

在HBM3E之前，三星电子使用1a DRAM，SK海力士使用1b DRAM。

三星电子相关投资正在进行，预计设备将安装在平泽P4工厂。

SK海力士正在将1b DRAM转移到M16。

英伟达和AMD计划在2026年发布搭载HBM4的AI加速器Rubin和MI400。

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