提前囤货加供应紧张,DRAM价格大涨

2024-08-19
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今年4月台湾发生地震,带动中国云服务供应商(CSP)大举采购,HBM芯片需求旺盛,引发全球半导体市场连锁反应,对DRAM产品价格变化及各大厂商第二季度的业绩造成了重大冲击。

原厂DRAM产品卖疯了

第2季度,受台湾地震后大举采购和HBM芯片需求旺盛的推动,DRAM合约价格上涨了13-18%。

三星电子在第二季度财报电话会议上宣布,HBM3E 8层产品将在第三季度投入量产,12层产品量产的准备工作已经完成。

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该公司还预计HBM3和HBM3E的收入份额将在第三季度迅速扩大至10%左右,并在第四季度达到 60%。

第二季度的财务业绩反映了这些市场动态。

三星电子的平均销售价格 (ASP) 上涨了17-19%,DRAM销售额增长了22%,达到92.2亿美元。

SK海力士在HBM3E认证和产品出货量的推动下,DRAM销售额增长了38.7%,达到79.1亿美元,成为这段时间内唯一一家市场份额增加的DRAM公司。

这些公司的盈利能力也出现了显著的提升。

三星电子的DRAM营业利润率从第一季度的22%增长到第二季度的37%,而SK海力士则从33%提高到 45%。

美光科技的利润率从6.9%上升到13.1%。

第3季度合约价比预期高

今年7月底,三星电子、SK海力士等DRAM大厂与PC厂商、CSP达成第三季合约价谈判,合约价涨幅确定为8-13%,较先前预估高出约5%。

中国CSP因担心出现新的限制,自第二季起积极将DRAM采购量较去年同期增加一倍,以确保库存水位。

供应条件变得越来越紧张是导致DRAM价格上涨的原因之一。

各大公司都在优先生产HBM,这可能会限制通用DRAM的供应。

三星电子已开始生产HBM3E晶圆,以确保在通过(NVIDIA)HBM3E认证后及时出货产品。

这可能会影响2024年下半年的DDR5生产计划。

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SK海力士和三星电子优先生产HBM而不是DDR5,因此未来几个季度DRAM价格不太可能下跌。

预计内存芯片需求将继续推动DRAM价格在第三季度走高。

三星电子宣布HBM3E 8层产品将在第三季度投入量产,进一步证明了向高性能内存解决方案的转变。

该公司对HBM3和HBM3E的战略布局预计将显著影响其收入份额,预计第三季度将迅速扩大至 10%左右,第四季度将达到60%。

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