下半年NAND位元增速将下滑

2024-08-13
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受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始,但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。

DRAM不同,由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软,存储公司在增加产量方面表现出克制。

专家预测,除非AI设备的替换需求大幅上升,并且经济环境刺激消费,否则NAND市场的整体复苏仍将有限。

消息人士透露,三星电子和SK海力士在第二季度NAND产能增加方面均呈现被动趋势。

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三星电子的NAND位增长率与去年第一季度相比下降了中个位数(4-6%),而SK海力士的NAND位增长率同期下降了低个位数(1-3%)。

与NAND形成鲜明对比的是,两家公司的DRAM比特率在第二季度均有所增长。

与上一季度相比,三星电子实现了中等个位数(4-6%)的增长,而SK海力士则实现了超过20%的大幅增长。

SK海力士在HBM市场的领导地位以及三星电子通过DDR5和GDDR产品满足AI需求,推动了这一增长。

NAND与DRAM增速差距的原因在于,尽管AI服务器需求旺盛,但智能手机和PC对NAND产品的需求却不旺盛。

此外,NAND制造商数量超过DRAM,目前只有5-6家,导致市场库存量相当可观。

业界预测,下半年NAND位元增速将继续下滑。

专家认为,如果对AI手机和AI PC等设备的替换需求增加,NAND复苏将在服务器以外的应用中加速。

尽管Galaxy S24等AI智能手机和一些AI PC已经发布,但AI设备市场尚未完全打开。

半导体超级周期的特点是技术进步推动需求和投资增加,目前受到人工智能对科技行业的影响。

人工智能应用需要大量的计算能力和存储空间,影响着半导体市场。

主要用于消费电子产品和数据中心的NAND闪存的增长速度不如用于计算过程中临时数据存储的 DRAM

消费电子市场的现状,尤其是智能手机和个人电脑的需求趋势,对NAND闪存的需求起着至关重要的作用。

经济状况也显著影响着消费者支出和电子产品需求。

AI设备的出现,例如支持AI的智能手机和个人电脑,为未来NAND闪存的需求提供了潜力。

三星电子和SK海力士等继续在内存技术方面进行创新。

HBM、DDR5和GDDR等内存产品的最新进展正在推动AI服务器等特定领域的需求。

半导体行业的历史趋势(包括之前的繁荣与萧条周期)为当前市场状况和未来预测提供了背景。

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