镁光第四代3D NAND存储芯片完成首次流片，采用新型替代栅极架构

​镁光科技宣布第四代3D NAND存储芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，美光表示，新一代产品计划于2020年实现量产，但是仅仅会应用在特定领域中。

闪存市场· 2019-10-08阅读量2425

镁光新加坡扩建3D NAND闪存晶圆厂完工启用

镁光在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂昨（14）日正式完工启用。镁光指出，这是因应5G、人工智能（AI）和自动驾驶等领域客户需求的策略，也是镁光新加坡闪存制造重镇转型的重要布局。新加坡是镁光闪存生产重要据点，台湾地区和日本则是动态随机存取存储器（DRAM）生产重心 ，近几年镁光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建镁光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为镁光的DRAM卓越中心。

全球半导体观察· 2019-08-15阅读量2706

镁光推出X100叫板intel的傲腾，顶尖3D Xpoint的比拼

英特尔推出了傲腾品牌后，作为曾经一起开发3D Xpoint存储芯片的镁光，也丝毫不落下风。

闪德资讯· 2019-10-28阅读量2485

镁光将在本季度开始量产采用RG架构的128层3D NAND

镁光公司透露，它即将开始批量生产了4 次 代3D NAND存储设备。

2020-04-02阅读量2210

铠侠将建设新厂以扩大3D闪存生产能力

铠侠今（23）日宣布，将开始在其位于日本岩手县的北上工厂建设最先进的新制造工厂（Fab2），以扩大其专有的3D NAND Bics Flash™生产能力。

2022-03-23阅读量18583D NAND

铠侠和西部数据将于6月展示超过300层的3D NAND

据外媒eeNewsEurope报道，铠侠和西部数据将于今年6月展示超过300层的3D NAND。

2023-05-06阅读量15963D NAND

铠侠上市和建3D NAND厂的最新动态

铠侠的大股东贝恩资本集团可能有机会重新启动铠侠的首次公开募股

闪德资讯· 2020-12-11阅读量2383

铠侠Fab7工厂引入先进人工智能制造系统，支持第六代3D闪存的生产

据铠侠官网消息，铠侠（Kioxia）在日本三县的Yokkaichi工厂为其最先进的半导体制造工厂(Fab7)举行了奠基仪式。该工厂将是世界上最先进的制造工厂之一，致力于生产其专有的3D闪存BiCS FLASHTM。铠侠的Fab7工厂将具有减震结构和环保设计，其中包括节省的制造设备。

闪德资讯· 2021-03-01阅读量3129

铠侠3D闪存材料遭污染，影响日两厂生产

由于用于闪存生产的材料遭污染，铠侠在日本的两家生产工厂的生产受到了影响，目前正努力恢复正常运作。

2022-02-10阅读量1906

达不到要求？三星放弃为3D NAND闪存寻找新的光刻胶供应商

据韩国电子产业媒体The Elec 9月21日报道，三星已经取消了增加光刻胶供应商的计划。

2022-09-22阅读量20523D NAND