行业资讯
全部
三星扩大利基型存储外购，台系存储厂接单
三星积极冲刺高带宽内存、DDR5等高端DRAM技术，并寻求台湾ODM厂协助导入之际，在DDR3、NOR Flash等相对成熟或利基型存储则扩大外购
2024-04-16
浏览量1106
三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层
三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。
2024-04-16
浏览量981
华邦电维持174亿资本支出规模，主要用于高雄厂
华邦电专注中长期策略目标及永续发展，持续投入资本支出，进行下一代制程开发工程；华邦电2024年资本支出规划，将维持新台币174亿元的规模，大部分用于高雄厂产能及制程的提升，少部分用于台中厂。
2024-04-16
浏览量936
美国宣布最多提供三星64亿美元补助
近日，美国政府宣布，将向三星电子提供最多64亿美元的资金补贴。
2024-04-16
浏览量999
【急需】4月15日行业最新供求信息&企业名录汇总
2024-04-15
浏览量905
赋能产业互联网，高通量计算让世界更高效！
2024-04-15
浏览量463
【更新】4月12日行业最新供求信息&企业名录汇总
2024-04-13
浏览量872
SSD涨价，三星、SK海力士Q1将转亏为盈
随着全球第三大NAND闪存公司西部数据在今年上半年正式宣布固态硬盘（SSD）和机械硬盘（HDD）涨价，三星电子和SK海力士的NAND业务预计将在2024年第一季度扭亏为盈。
2024-04-13
浏览量984
美光：台湾地震不会对DRAM供应造成长期影响
美光日前公告指出，台湾4月3日发生的7.2级强震，对单季的DRAM供应影响，最多介于4％～6％之间，且并未对厂房、基础设施或设备造成永久性伤害，不会对DRAM供应造成长期影响。
2024-04-13
浏览量1080
SK海力士美国厂2028年投产，需数百名工程师
韩国存储芯片厂商SK海力士近日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高带宽内存（HBM）先进封装制造和研发设施。
2024-04-13
浏览量1262
